чаму ўзнікае менш перашкод з-за электрамагнітных палёў, якія генеруюцца рухам электронаў, паколькі ў нас мала пінів, адпаведна мала каналаў праходжання для самага электронаў?
чаму, у адрозненне ад ide, у sata біты рухаюцца паслядоўна па некалькіх провадам, таму менш перашкод електрамагнітнага поля і можна дасягаць вышэйшых хуткасцяў.
чаму электроны, якія іх перасякаюць, не падвяргаюцца супраціву магнітным палям?
бо рухомыя электроны не ствараюць вялікага электрычнага і магнітнага поля, як яны гэта робяць у паслядоўным злучэнні.
чаму электроны рухаюцца па чарзе, адзін за адным. у паралельных злучэннях яны сапраўды рухаюцца паралельна, і электроны, ствараючы моцныя электрамагнітныя палі, ствараюць перашкоды і таму рухаюцца павольней.
чаму электроны падарожнічаюць па серыі, мінімізуючы перашкоды
бо яны гарантуюцца бесперапыннай праводкай
чаму электрамагнітныя палі электронаў не ўмешваюцца ў іх праходжанне, запавольваючы іх
чаму біты даходзяць да атрымальніка паслядоўна, утвараючы электрычнае/магнітнае поле ніжэйшае ў параўнанні з тым, што ўтвараецца паралельнымі злучэннямі ide