زیرا الکترون‌ها نیروی دافعه الکترومغناطیسی ضعیف‌تری را تجربه می‌کنند
زیرا بیت‌ها یکی پس از دیگری سفر می‌کنند، بدون اینکه میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی با یکدیگر تداخل کنند.
زیرا حرکت بارها توسط تداخلات میدان مغناطیسی مختل نمی‌شود.
هیچ تداخلی از میدان‌های الکترومغناطیسی الکترون‌های در حال حرکت وجود ندارد.
تداخلات کمتری وجود دارد
زیرا تداخل کمتری ایجاد می‌کنند
زیرا الکترون‌ها به صورت سری حرکت می‌کنند، یعنی یکی پشت دیگری و به این ترتیب تداخل‌های ایجاد شده توسط میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی عمود بر مسیر کاهش می‌یابد.
زیرا آنها کمتر با میدان‌های مغناطیسی و الکتریکی تداخل می‌کنند، بنابراین الکترون‌ها سریع‌تر حرکت می‌کنند.
اگر تداخل کمتری بین میدان‌های مغناطیسی ایجاد شود
چرا تداخل‌هایی به دلیل میدان‌های مغناطیسی ناشی از عبور جریان ایجاد نمی‌شود
زیرا تداخلات الکترومغناطیسی کمتری نسبت به آنهایی که موازی هستند ایجاد می‌شود.
زیرا s-ata الکترون‌ها را به صورت ناهمزمان از طریق تعداد کمتری از پین‌ها منتقل می‌کند، که به این معنی است که الکترون‌ها در حین عبور خود تداخل کمتری ایجاد می‌کنند و انتقال اطلاعات را افزایش می‌دهند.
در اتصالات نوع sata، الکترون‌ها در بسته‌های ۳-۴ پینی حرکت می‌کنند و میدان‌های مغناطیسی کمتری تولید می‌کنند که تداخل ایجاد نمی‌کند.
چرا الکترون‌ها به صورت سری سفر می‌کنند
چرا الکترون‌ها یکی یکی سفر می‌کنند و بنابراین میدان‌های الکترومغناطیسی ضعیف‌تری نسبت به اتصالات موازی تشکیل می‌دهند؟
کمتر تداخل
چرا تداخل کمتری وجود دارد
هیچ تداخلی بین میدان‌های الکترومغناطیسی الکترون‌ها وجود ندارد.