क्योंकि हमारे पास कम पिन हैं, इसलिए मौजूदा इलेक्ट्रॉनों के लिए चैनल का पासाग कम होता है, जिससे विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों के कारण होने वाले व्यवधान कम हो जाते हैं।
इसलिए sata में, ide की तुलना में बाइट्स कुछ कंडक्टरों पर अनुक्रम में यात्रा करते हैं, जिससे विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप कम होता है और अधिक गति हासिल की जा सकती है।
क्योंकि जो इलेक्ट्रॉन उनके माध्यम से गुजरते हैं, वे चुम्बकीय क्षेत्रों के प्रतिरोध का सामना नहीं करते हैं।
क्योंकि चलती हुई इलेक्ट्रॉन श्रृंखला में ऐसा नहीं करती हैं कि वे एक बड़ा विद्युत और मैग्नेटिक क्षेत्र बनाएँ।
क्यों इलेक्ट्रॉनों को श्रृंखला में, एक के पीछे एक यात्रा करते हैं। समानांतर कनेक्शनों में, वे वास्तव में समानांतर में यात्रा करते हैं और इलेक्ट्रोन जो विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र उत्पन्न करते हैं, वे हस्तक्षेप करते हैं और इसलिए वे अधिक धीमे होते हैं।
क्योंकि इलेक्ट्रॉन्स श्रृंखला में यात्रा करते हैं जिससे हस्तक्षेप को न्यूनतम किया जा सके।
क्योंकि वे एक निरंतर वायरिंग द्वारा सुनिश्चित की गई हैं।
क्योंकि इलेक्ट्रॉनों के विद्युतचुंबकीय क्षेत्र एक-दूसरे के साथ हस्तक्षेप नहीं करते हैं जिससे उनका गति धीमी नहीं होती।
क्योंकि बिट रिसीवर तक अनुक्रमिक रूप से पहुंचते हैं, जिससे एक विद्युत/चुंबकीय क्षेत्र उत्पन्न होता है जो ide के समानांतर कनेक्शनों द्वारा उत्पन्न क्षेत्र से कम होता है।
क्यों इलेक्ट्रॉन्स बसों में एक के पीछे एक बहते हैं और यह चुंबकीय या विद्युत क्षेत्रों के हस्तक्षेप के अधीन नहीं होते जैसे कि ide में होता है।